Quase 400 milhões de yuan ganhos por dia, de uma perda de 36,6 bilhões de yuan para o quarto lugar mundial. Reativação do IPO da Longxin Technology

robot
Geração de resumo em curso

17 de maio, ChangXin Technology atualizou o prospecto de IPO na STAR Market, retomando a revisão de listagem.

Os dados mais impressionantes do prospecto são o lucro líquido de 33,012 bilhões de yuans no primeiro trimestre de 2026, o que equivale a cerca de 4 bilhões de yuans por dia.

O lucro líquido atribuível aos acionistas do trimestre já é aproximadamente 13 vezes o lucro líquido total de 2025, de 1,875 bilhões de yuans.

O espaço de mercado geral deixado pelos três grandes gigantes

DRAM é a categoria mais predominante de chips de memória, e também o setor mais agressivamente afetado pelo aumento de preços nesta rodada. Segundo dados da TrendForce, o preço contratual de DRAM no primeiro trimestre de 2026 foi revisado para um aumento de 93% a 98% em relação ao trimestre anterior, impulsionado pelo HBM, memória de alta largura de banda.

A rápida expansão da infraestrutura de IA impulsiona a demanda por DRAM em uma única servidor de IA padrão a atingir de 8 a 10 vezes a de um servidor comum, e para o armazenamento de alta gama voltado para aceleradores de IA, como o HBM, a taxa de crescimento da demanda é ainda maior do que a do DRAM geral.

Samsung, SK Hynix e Micron, os três maiores players globais de DRAM, transferiram grande capacidade de produção de nós avançados de DRAM comum para HBM. O HBM é essencialmente uma pilha de DRAM, mas com processos mais avançados e margens de lucro mais altas, sendo que a SK Hynix apresenta uma margem operacional de até 72%.

O custo direto dessa mudança de capacidade foi uma grave escassez de fornecimento de DRAMs comuns como DDR4 e DDR5.

O Centro de Monitoramento de Preços da Comissão Nacional de Desenvolvimento e Reforma confirmou em fevereiro deste ano que, de setembro de 2025 a fevereiro de 2026, a escassez no mercado global de memória continuou a se ampliar, e o preço do DRAM em janeiro deste ano atingiu o maior recorde desde 2016.

O ponto-chave é que a conversão de linhas de produção de HBM leva muito tempo, e os três gigantes já tinham praticamente bloqueado a capacidade de produção de nós avançados para HBM em 2025, além de que a capacidade de HBM para 2026 foi vendida antecipadamente, sem possibilidade de reversão a curto prazo. O mercado espera que o preço contratual de DRAM no segundo trimestre continue a subir entre 58% e 60% em relação ao trimestre anterior.

A principal fonte de receita da ChangXin Technology são os DRAMs comuns, sem negócios de HBM, e o pico de lucro nesta rodada vem do fato de que os três gigantes estão deixando espaço no mercado comum para perseguir os altos lucros do HBM, ao transferir proativamente capacidade de produção.

Capacidade de produção global em quarto lugar

Nesta rodada de aumento de preços, a ChangXin Technology conseguiu um desempenho explosivo graças a condições fundamentais: capacidade quase plena, cobertura das principais especificações de produtos e clientes principalmente grandes provedores de nuvem domésticos.

Atualmente, a empresa possui três fábricas de wafers de DRAM de 12 polegadas em Hefei e Pequim, com capacidade que ocupa a quarta posição mundial e a primeira na China. Segundo o prospecto, a taxa de utilização da capacidade aumentou de 87,06% em 2023 para 95,73% em 2025, estando próxima da plena capacidade.

Em 2025, a receita principal foi composta por 31,87% de DDR, com DDR5 como principal motor de crescimento, e 66,43% de LPDDR, principalmente LPDDR5/5X.

A margem bruta do DDR em 2025 foi de 41,89%, e do LPDDR de 37,25%, com uma margem bruta geral de 41,02%. Em comparação, em 2023, a margem bruta do DDR era negativa em 108,76%, evidenciando claramente o impacto do aumento de preços.

De 2023 a 2025, a receita operacional da empresa foi de 9,087 bilhões, 24,178 bilhões e 61,799 bilhões de yuans, respectivamente, com uma taxa de crescimento composta de 160,78%. A previsão de desempenho para o primeiro semestre de 2026 é de receita entre 110 bilhões e 120 bilhões de yuans, com lucro líquido atribuível aos acionistas de 50 bilhões a 57 bilhões de yuans.

De acordo com dados do quarto trimestre de 2025 sobre vendas de DRAM, a participação de mercado global da ChangXin é de 7,67%, enquanto os três gigantes juntos detêm mais de 90% do mercado mundial, sendo Samsung com 36,6%, SK Hynix com 32,9% e Micron com 22,9%.

No primeiro trimestre de 2026, o lucro líquido atribuível aos acionistas foi de 24,762 bilhões de yuans, ficando atrás apenas da Samsung, com aproximadamente 215 bilhões de yuans, SK Hynix com cerca de 183,7 bilhões de yuans e Micron com aproximadamente 93,9 bilhões de yuans.

Lucro impulsionado por preços

O atual pico de lucro é principalmente impulsionado pelos preços do setor, e não por uma otimização estrutural de custos.

DRAM é uma indústria de ciclo de ativos pesados, com custos fixos extremamente altos, sendo o principal deles a depreciação de equipamentos. Segundo o prospecto, a depreciação em 2025 foi de 24,68 bilhões de yuans, 2,3 vezes maior do que em 2023.

De 2023 a 2025, os gastos de capital foram de 43,7 bilhões, 71,2 bilhões e 49,7 bilhões de yuans, respectivamente. Ao final de 2025, o prejuízo acumulado era de 36,65 bilhões de yuans, principalmente devido à alta depreciação durante o período de construção em grande escala inicial.

Uma característica inerente ao setor de ciclo de ativos pesados é que, quando os preços estão altos, após cobrir os custos fixos, quase todo o lucro incremental se transforma em lucro líquido, com alta alavancagem; quando os preços caem, o lucro desaparece na mesma velocidade, pois os custos fixos não diminuem com o preço.

Cada ciclo de excesso de capacidade dos três gigantes resultou em prejuízos maciços para toda a indústria, e o período de prejuízo da ChangXin de 2022 a 2024 é uma manifestação direta do ciclo de baixa anterior.

Especialistas prevêem que o ciclo atual pode se estender até meados de 2027, pois a transição do HBM para o DRAM comum ainda exerce forte pressão estrutural, e os três gigantes permanecem bastante contidos na expansão de capacidade de DRAM comum.

Porém, após 2027, se a demanda por servidores de IA diminuir ou se os três gigantes ajustarem suas estratégias de capacidade, o equilíbrio entre oferta e demanda pode ser rompido novamente a qualquer momento.

Expansão de capacidade e posicionamento tecnológico durante o ciclo

A escolha do momento para reiniciar o IPO tem uma lógica clara: o ciclo de prosperidade ainda está em andamento, a empresa possui fluxo de caixa suficiente, e a janela de avaliação do mercado de capitais está aberta.

Pretende-se captar 29,5 bilhões de yuans, a segunda maior captação de recursos na história da STAR Market, com fundos destinados à modernização de linhas de produção de wafers de memória, investimento de 7,5 bilhões de yuans, atualização tecnológica de DRAM de 13 bilhões de yuans e pesquisa de tecnologias avançadas de 9 bilhões de yuans, com foco principal na expansão de capacidade, melhoria de processos e desenvolvimento de HBM.

Atualmente, a tecnologia de produção em volume é de nó de 16 nm, e, na ausência de máquinas de litografia EUV, a atualização de processos é uma das principais restrições, ainda havendo uma diferença de 2 a 3 gerações em relação à Samsung e Hynix, que usam processos abaixo de 12 nm.

A expansão do DDR5 é resultado da evolução do processo, e, no segundo trimestre de 2026, a participação global do DDR5 da ChangXin já atingiu 3,97%. O HBM é a linha de produtos com maior lacuna em relação aos gigantes internacionais, além de ser a categoria com maior margem de lucro. Samsung e Hynix já estão em produção em volume, e Micron está acompanhando.

Atualmente, a produção da ChangXin concentra-se nas séries DDR4, DDR5 e LPDDR, enquanto os protótipos de HBM3 já foram entregues a clientes domésticos como Huawei, mas a produção em volume está prevista para o final de 2026 na fábrica de embalagem em Xangai, ficando 2 a 3 gerações atrás do estado da arte do setor.

Segundo a TrendForce, até 2027, a participação do HBM na receita total de DRAM global deve passar de aproximadamente 12% em 2024 para mais de 35%. Fabricantes que não produzirem HBM terão suas fatias comprimidas em mercados de alto crescimento.

Isso também explica por que há 9 bilhões de yuans destinados especificamente ao desenvolvimento de tecnologias avançadas, pois transformar o financiamento do mercado de capitais em investimentos em atualização tecnológica durante o ciclo é uma das principais razões para a retomada do IPO neste momento.

De beneficiária do ciclo a concorrente global

Atualmente, o setor ainda está em ciclo de prosperidade, com a capacidade total da ChangXin e preços elevados, garantindo lucros contínuos. Após a implementação da capacidade adicional, este período será também o momento de maior risco de queda do ciclo.

A Omdia prevê que, até 2030, o mercado global de DRAM atingirá US$ 571 bilhões, com uma taxa de crescimento anual composta de 30,56%, e o mercado continuará a se expandir, intensificando a concorrência.

O DRAM comum é um mercado maduro, enquanto o HBM e o armazenamento de alta gama para centros de dados de IA representam áreas de alto valor agregado. A capacidade da ChangXin de alcançar produção em escala de HBM3/3E até 2028 será um fator decisivo para sua posição competitiva de longo prazo.

O mercado global de DRAM tem sido monopolizado por três empresas estrangeiras por mais de trinta anos, e essa estrutura se mantém não por questões tecnológicas, mas pelo alto investimento necessário em escala de capital, processos e cadeia de suprimentos.

Desde a instalação em Hefei em 2016, a participação acionária indireta do capital estatal de Hefei através de entidades como Hefei Urban Construction tem sido uma das principais participações industriais contínuas da empresa; e, hoje, com a posição de quarto maior do mundo e lucros trimestrais entre os top quatro globais, essa transformação não é fácil.

O lucro elevado de curto prazo vem do ciclo, mas a capacidade de produção e tecnologia que sustentam esse ciclo resultaram de investimentos contínuos ao longo dos últimos dez anos.

Para a indústria de armazenamento da China, entrar na competição global é apenas o primeiro passo; continuar avançando no armazenamento de alta gama determinará o quanto a empresa poderá crescer no futuro.

Esta IPO não é apenas uma captação de recursos, mas um marco importante na entrada da ChangXin Technology na próxima fase de competição.

Ver original
Esta página pode conter conteúdos de terceiros, que são fornecidos apenas para fins informativos (sem representações/garantias) e não devem ser considerados como uma aprovação dos seus pontos de vista pela Gate, nem como aconselhamento financeiro ou profissional. Consulte a Declaração de exoneração de responsabilidade para obter mais informações.
  • Recompensa
  • Comentar
  • Republicar
  • Partilhar
Comentar
Adicionar um comentário
Adicionar um comentário
Nenhum comentário
  • Fixado