Le 29 mai, Samsung Electronics a annoncé avoir commencé à expédier des échantillons de niveau ingénierie du premier HBM4E empilé en 12 couches du secteur à de grands clients mondiaux, consolidant davantage sa position de leader sur le marché des mémoires à haut débit et à haute bande passante (HBM) de nouvelle génération. Cette démarche répond à l’escalade des exigences de calcul pour l’IA, Samsung indiquant que le HBM4E en 12 couches apporte deux améliorations à la fois en matière d’efficacité énergétique et de performances thermiques afin de répondre aux besoins de calcul intensif pour l’IA de prochaine génération. La base clients de Samsung inclut des fabricants de puces IA tels que NVIDIA et AMD, ainsi que des fournisseurs de services cloud comme Google et Microsoft — autant d’entreprises clés qui soutiennent les besoins de calcul liés à l’IA.
Spécifications produit et indicateurs de performance
Samsung HBM4E, la quatrième génération de mémoire à haut débit et à grande bande passante améliorée de l’entreprise, atteint un taux de broches stable de 14 gigabits par seconde (Gbps), avec une évolutivité jusqu’à 16Gbps pour faire face à la hausse des besoins de traitement des données. Par rapport au Samsung HBM4, les performances augmentent de plus de 20%, avec une bande passante maximale de mémoire par pile atteignant 3,6 térabytes par seconde (TB/s) afin de maximiser les performances de calcul pour les grands modèles de langage (LLM) et les systèmes d’IA de nouvelle génération.
En capacité de stockage, le HBM4E en 12 couches de Samsung offre 48 gigaoctets (Go) par pile, soit une hausse de capacité de plus de 30% par rapport à la génération précédente. Samsung Electronics a déclaré prévoir d’élargir la gamme de produits selon les besoins des clients, en ajoutant des versions de configuration de 32Go (pile 8 couches) et 64Go (pile 16 couches).
Technologie de fabrication et intégration du procédé
Samsung Electronics a déclaré que l’avantage central du HBM4E réside dans une intégration complète de la technologie de semi-conducteurs full-chain de Samsung, en réutilisant et en optimisant des procédés de pointe validés lors de la production de masse du HBM4. Le produit utilise le procédé DRAM de classe 10 nanomètres de sixième génération le plus avancé du secteur (procédé 1c), associé à la plaquette de base de logique de 4 nanomètres de Samsung Foundry, ce qui confère au HBM4E une plus grande stabilité du procédé et une meilleure aptitude à la fabrication.
Efficacité énergétique et performances thermiques
Les optimisations de conception et de procédé dans l’architecture de stockage et de logique du HBM4E ont amélioré les performances, l’efficacité énergétique et le rendement. Par rapport au HBM4, le HBM4E délivre environ 16% d’amélioration de l’efficacité énergétique et une réduction de plus de 14% de la résistance thermique. Samsung a indiqué que ces améliorations permettent une dissipation de la chaleur plus efficace, renforçant la fiabilité opérationnelle des centres de données de nouvelle génération fortement sollicités tout en réduisant la consommation d’énergie.
Calendrier de production et position sur le marché
Samsung a déclaré qu’il lancera la production de masse du HBM4E selon les calendriers des clients après l’achèvement de la livraison des échantillons et de l’optimisation de l’adaptation côté client. Lancé en février de cette année, le HBM4 a été très bien accueilli par les clients mondiaux, avec des performances et une efficacité énergétique particulièrement appréciées.
Performance financière
Le 30 avril, Samsung Electronics a dévoilé ses résultats du T1, avec un bénéfice d’exploitation final vérifié calculé sur la base d’un état financier consolidé en hausse de 756,1% en glissement annuel pour atteindre 57,2328 mille milliards de won coréens (environ 263,9 milliards RMB), marquant le deuxième trimestre consécutif de résultats trimestriels record. La division Device Solutions (DS), responsable de l’activité semi-conducteurs, a tiré la croissance de la performance globale de l’entreprise, avec des ventes T1 de 81,7 mille milliards de won et un bénéfice d’exploitation de 53,7 mille milliards de won — tous deux des plus hauts historiques sur un trimestre.
FAQ
Quelle est la capacité du HBM4E 12 couches de Samsung ?
Le HBM4E 12 couches de Samsung offre 48Go par pile, représentant une hausse de capacité de plus de 30% par rapport à la génération précédente. Samsung prévoit d’ajouter des configurations de 32Go (8 couches) et 64Go (16 couches) selon les besoins des clients.
À quelle vitesse le HBM4E est-il par rapport au HBM4 ?
Le HBM4E offre une amélioration des performances de plus de 20% par rapport au HBM4, avec un taux de broches stable de 14Gbps évolutif jusqu’à 16Gbps, et une bande passante maximale de mémoire par pile atteignant 3,6TB/s.
Quel procédé de fabrication Samsung utilise-t-il pour le HBM4E ?
Le HBM4E utilise le procédé DRAM de classe 10 nanomètres de sixième génération de Samsung (procédé 1c), associé à la plaquette de base de logique de 4 nanomètres de Samsung Foundry.
