科技日報によると、中国科学院の金属研究所は、6月6日に電波周波数（RF）試験で実証を行った世界初のシリコン‐グラフェン‐ゲルマニウムヘテロ接合トランジスタを開発することに成功した。RF測定では、当該デバイスは固有の遮断周波数132GHzを達成し、垂直型の二次元ベース領域トランジスタとして新たな記録を樹立した。研究はNature Communicationsに掲載されており、また、記録上で最も高いトランジスタ電流ゲインも示した。モデリング解析からは、同デバイスの理論上の動作周波数が1THzを超える可能性があり、テラヘルツ応用帯域に入ることが示唆されている。
免責事項：本ページの情報には第三者提供の内容が含まれる場合があり、参考目的のみで提供されています。これらはGateの見解や意見を示すものではなく、金融、投資、または法律上の助言を構成するものでもありません。暗号資産取引には高いリスクが伴います。意思決定を行う際には、本ページの情報のみに依存しないでください。詳細については、
免責事項をご確認ください。
