29 мая Samsung Electronics объявила, что начала поставки инженерных образцов первых в отрасли 12-слойных HBM4E крупным мировым клиентам, еще больше укрепив свои лидирующие позиции на рынке HBM нового поколения. Этот шаг призван ответить на растущие потребности в вычислениях для ИИ: Samsung заявила, что 12-слойный HBM4E обеспечивает двойное улучшение — энергоэффективности и тепловых характеристик — для выполнения требований к высоконагруженным вычислениям ИИ следующего поколения. Клиентская база Samsung включает производителей ИИ-чипов, таких как NVIDIA и AMD, а также облачных сервисов вроде Google и Microsoft — ключевые компании, поддерживающие потребности в вычислениях для ИИ.
Технические характеристики продукта и показатели производительности
Samsung HBM4E, улучшенная высокоскоростная память HBM четвертого поколения компании, обеспечивает стабильную скорость выводов (pin rate) 14 гигабит в секунду (Гбит/с) с масштабированием до 16 Гбит/с для удовлетворения растущих требований к обработке данных. По сравнению с Samsung HBM4 производительность выросла более чем на 20%, а максимальная пропускная способность памяти в одном стеке достигает 3,6 терабайта в секунду (ТБ/с), чтобы максимизировать вычислительную производительность для больших языковых моделей (LLM) и ИИ-систем следующего поколения.
По объему хранения 12-слойный HBM4E от Samsung предлагает 48 гигабайт (ГБ) на стек, что соответствует росту емкости более чем на 30% по сравнению с предыдущим поколением. Samsung Electronics заявила, что намерена расширять продуктовую линейку в зависимости от потребностей клиентов, добавляя конфигурации 32 ГБ (8-слойный стек) и 64 ГБ (16-слойный стек).
Производственные технологии и интеграция процесса
Samsung Electronics заявила, что ключевое преимущество HBM4E заключается во полностью интегрированном использовании технологии полупроводников Samsung full-chain, с повторным применением и оптимизацией передовых процессов, подтвержденных в массовом производстве HBM4. Продукт использует самый передовой в отрасли шестого поколения DRAM-процесс класса 10 нанометров (процесс 1c), в паре с логической базовой подложкой 4 нанометра от Samsung Foundry, что обеспечивает HBM4E более высокую стабильность процесса и технологичность.
Энергоэффективность и тепловые характеристики
Проектные и технологические оптимизации в архитектуре памяти и логики HBM4E улучшили производительность, энергоэффективность и выход годных. По сравнению с HBM4, HBM4E обеспечивает приблизительное улучшение энергоэффективности на 16% и снижение теплового сопротивления более чем на 14%. Samsung заявила, что эти улучшения позволяют эффективнее отводить тепло, повышая надежность работы высоконагруженных ЦОД следующего поколения и одновременно снижая энергопотребление.
Сроки производства и рыночные позиции
Samsung заявила, что запустит массовое производство HBM4E по графикам клиентов после завершения поставок образцов и оптимизации адаптации со стороны заказчиков. HBM4, запущенный в феврале этого года, получил высокое признание у глобальных клиентов: особенно хорошо отмечены производительность и энергоэффективность.
Финансовые результаты
30 апреля Samsung Electronics раскрыла результаты за Q1: итоговая подтвержденная операционная прибыль, рассчитанная на консолидированной основе финансовой отчетности, выросла на 756,1% год к году до 57,2328 трлн вон (примерно 263,9 млрд юаней), став вторым подряд кварталом с рекордно высокими итогами за квартал. Подразделение Device Solutions (DS), отвечающее за полупроводниковый бизнес, обеспечило рост показателей всей компании: продажи за Q1 составили 81,7 трлн вон, а операционная прибыль — 53,7 трлн вон, причем оба показателя стали историческими максимумами за один квартал.
FAQ
Какой объем у 12-слойного Samsung HBM4E?
12-слойный Samsung HBM4E предлагает 48 ГБ на стек, что соответствует росту емкости более чем на 30% по сравнению с предыдущим поколением. Samsung планирует добавить конфигурации 32 ГБ (8-слойная) и 64 ГБ (16-слойная) в зависимости от потребностей клиентов.
Насколько HBM4E быстрее, чем HBM4?
HBM4E дает улучшение производительности более чем на 20% по сравнению с HBM4: стабильная скорость выводов 14 Гбит/с с масштабированием до 16 Гбит/с, а максимальная пропускная способность памяти в одном стеке достигает 3,6 ТБ/с.
Какой производственный процесс Samsung использует для HBM4E?
HBM4E использует шестого поколения DRAM-процесс Samsung класса 10 нанометров (процесс 1c), в паре с логической базовой подложкой 4 нанометра от Samsung Foundry.
