Samsung Nâng cấp DRAM 1D Thế hệ thứ 7 cấp lớp 10nm, bề rộng wafer giảm xuống 10-11nm

2026-06-17 06:41:22

Theo nhà nghiên cứu Citrini Jukan, Samsung Electronics vào ngày 17/6 đã công bố kế hoạch thúc đẩy sản xuất 1D DRAM thế hệ thứ bảy thuộc công nghệ lớp 10nm. Việc đưa thiết bị vào dây chuyền được nhắm vào nửa đầu năm tới, còn sản xuất ban đầu có thể bắt đầu sớm nhất vào cuối năm. Quy trình mới thu hẹp bề rộng đường line trên wafer từ mức 11-12nm hiện tại xuống 10-11nm, giúp cải thiện hiệu năng và hiệu suất năng lượng. Các thiết bị chủ chốt vẫn đang trong giai đoạn phát triển, trong đó Samsung và các đối tác tối ưu hóa năng suất và hiệu năng trước khi có sự tinh chỉnh chi tiết hơn về mốc thời gian vào cuối năm.

Xem nguồn

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.

Tin tức liên quan

4giờ trước

Samsung đang đàm phán để sản xuất chip CPU AMD, dự kiến bắt đầu sản xuất vào năm 2028

5giờ trước

LG Innotek phát triển nền FC-BGA 100mm+ cho máy chủ AI, kỳ vọng có kết quả trước cuối năm

7giờ trước

iPhone 18 của Apple sẽ được nâng cấp RAM lên 12GB, tăng 50% so với iPhone 17

7giờ trước

Mizuho: CPO và triển khai 800V đúng tiến độ cho giai đoạn 2028-2029, Spectrum-X dự kiến tăng tốc vào năm 2027

19giờ trước

Nguồn cung tấm silicon của Trung Quốc mở rộng lên 54–55 GW vào tháng 6, lượng tồn kho pin giảm theo tuần

Phân tích chuyên sâu