据 Counterpoint Research，三星电子在 2026 年第一季度占全球 DRAM 收入的 38%，领先于 SK 海力士的 29% 和 Micron 的 22%。在高带宽内存（HBM）中，SK 海力士占据 58%，三星和 Micron 各占 21%。三星还以 29% 的份额领先 NAND 闪存，SK 海力士占 18%，中国 YMTC 从 8% 升至 13%。
DRAM 市场环比增长 80%，同比增长 260%，而 NAND 环比增长 90%，受价格上涨、AI 服务器需求以及供应商转向 HBM、DDR5 和企业级存储推动。
