Samsung avanza con DRAM 1D de 7.ª generación clase 10 nm, y el ancho de oblea se reduce a 10-11 nm

Según el investigador de Citrini, Jukan, Samsung Electronics anunció el 17 de junio planes para avanzar en la producción de 1D DRAM de séptima generación de clase 10 nm, con la introducción de equipos prevista para la primera mitad del próximo año y la producción inicial tan pronto como a finales de año. El nuevo proceso reduce el ancho de línea de oblea, de los 11-12 nm actuales a 10-11 nm, mejorando el rendimiento y la eficiencia energética. El equipo clave sigue en desarrollo, mientras Samsung y sus socios optimizan los rendimientos y el rendimiento antes de que a finales de año se refine un calendario detallado.
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