Samsung Electronics envía muestras de HBM4E de 12 capas, las primeras de la industria, con un aumento del 20% en el rendimiento

El 29 de mayo, Samsung Electronics anunció que ha comenzado a enviar muestras de ingeniería de las primeras HBM4E apiladas de 12 capas de la industria a importantes clientes globales, consolidando aún más su posición de liderazgo en el mercado de memoria de alto ancho de banda (HBM) de próxima generación. El movimiento responde a una escalada de las necesidades de cómputo de IA, y Samsung señaló que la HBM4E de 12 capas ofrece mejoras duales en eficiencia energética y rendimiento térmico para cumplir con los requisitos de cómputo de alta carga de la IA de próxima generación. La base de clientes de Samsung incluye fabricantes de chips de IA como NVIDIA y AMD, así como proveedores de servicios en la nube como Google y Microsoft, que son empresas fundamentales que respaldan las necesidades de cómputo de IA.

Especificaciones del producto y métricas de rendimiento

Samsung HBM4E, la memoria mejorada de cuarta generación mejorada de alto ancho de banda de la compañía, logra una tasa de pines estable de 14 gigabits por segundo (Gbps), con escalabilidad a 16Gbps para abordar la creciente demanda de procesamiento de datos. En comparación con Samsung HBM4, el rendimiento aumenta en más de un 20%, con un ancho de banda máximo de memoria por pila de 3,6 terabytes por segundo (TB/s) para maximizar el rendimiento de cómputo para modelos de lenguaje grandes (LLM) y sistemas de IA de próxima generación.

En capacidad de almacenamiento, la HBM4E de 12 capas de Samsung ofrece 48 gigabytes (GB) por pila, lo que representa un aumento de capacidad de más del 30% frente a la generación anterior. Samsung Electronics indicó que planea ampliar la línea de productos en función de las necesidades de los clientes, agregando versiones de configuración de 32GB (pila de 8 capas) y 64GB (pila de 16 capas).

Tecnología de fabricación e integración del proceso

Samsung Electronics señaló que la ventaja principal de la HBM4E radica en integrar completamente la tecnología de semiconductores de extremo a extremo de Samsung, reutilizando y optimizando procesos de vanguardia validados durante la producción en masa de HBM4. El producto emplea el proceso DRAM de clase de 10 nanómetros de sexta generación más avanzado de la industria (proceso 1c), combinado con la oblea base lógica de 4 nanómetros de Samsung Foundry, lo que brinda a la HBM4E mayor estabilidad del proceso y capacidad de fabricación.

Eficiencia energética y rendimiento térmico

Las optimizaciones de diseño y de proceso en la arquitectura de almacenamiento y lógica de HBM4E han mejorado el rendimiento, la eficiencia energética y el rendimiento (yield). En comparación con HBM4, HBM4E ofrece una mejora de eficiencia energética de aproximadamente un 16% y una reducción de más del 14% en la resistencia térmica. Samsung indicó que estas mejoras permiten una disipación de calor más eficiente, mejorando la confiabilidad operativa de los centros de datos de próxima generación con alta carga, a la vez que reduce el consumo de energía.

Cronograma de producción y posición en el mercado

Samsung indicó que iniciará la producción en masa de HBM4E de acuerdo con los cronogramas de los clientes después de completar la entrega de muestras y la optimización de adaptación por parte del cliente. HBM4, lanzada en febrero de este año, ha recibido un alto reconocimiento por parte de clientes globales, con un rendimiento y una eficiencia energética especialmente bien valorados.

Rendimiento financiero

El 30 de abril, Samsung Electronics divulgó los resultados del 1T, con la ganancia operativa final verificada calculada sobre una base de estado financiero consolidado aumentando un 756,1% interanual hasta 57,2328 billones de wones surcoreanos (aproximadamente 263,9 mil millones de RMB), marcando el segundo trimestre consecutivo de resultados récord en un solo trimestre. La división de Soluciones de Dispositivos (DS), responsable del negocio de semiconductores, impulsó el crecimiento del rendimiento general de la compañía, logrando ventas del 1T de 81,7 billones de wones y una ganancia operativa de 53,7 billones de wones, ambos máximos históricos de un solo trimestre.

Preguntas frecuentes

¿Cuál es la capacidad de la Samsung HBM4E de 12 capas? La HBM4E de 12 capas ofrece 48GB por pila, lo que representa un aumento de capacidad de más del 30% frente a la generación anterior. Samsung planea agregar configuraciones de 32GB (8 capas) y 64GB (16 capas) según las necesidades de los clientes.

¿Qué tan más rápida es HBM4E frente a HBM4? HBM4E ofrece una mejora de rendimiento de más del 20% frente a HBM4, con una tasa de pines estable de 14Gbps escalable a 16Gbps, y un ancho de banda máximo de memoria por pila de 3,6TB/s.

¿Qué proceso de fabricación utiliza Samsung para HBM4E? HBM4E emplea el proceso DRAM de clase de 10 nanómetros de sexta generación de Samsung (proceso 1c) combinado con la oblea base lógica de 4 nanómetros de Samsung Foundry.