Vào ngày 29/5, Samsung Electronics cho biết hãng đã bắt đầu gửi mẫu kỹ thuật (engineering samples) của loại HBM4E xếp chồng 12 lớp đầu tiên trong ngành tới các khách hàng lớn trên toàn cầu, qua đó củng cố thêm vị thế dẫn đầu trong thị trường bộ nhớ băng thông cao (HBM) thế hệ tiếp theo. Động thái này nhằm đáp ứng nhu cầu tính toán AI đang tăng mạnh; Samsung cho biết HBM4E 12 lớp mang lại hai cải tiến về hiệu suất năng lượng và khả năng chịu nhiệt để đáp ứng yêu cầu tính toán tải cao cho AI thế hệ tiếp theo. Tập khách hàng của Samsung bao gồm các nhà sản xuất chip AI như NVIDIA và AMD, cùng với các nhà cung cấp dịch vụ đám mây như Google và Microsoft—tất cả đều là các doanh nghiệp cốt lõi phục vụ nhu cầu tính toán AI.
Thông số sản phẩm và các chỉ số hiệu năng
HBM4E của Samsung, loại bộ nhớ băng thông cao tăng cường (enhanced high-bandwidth memory) thế hệ thứ tư của công ty, đạt tốc độ chân (pin rate) ổn định 14 gigabit mỗi giây (Gbps), đồng thời có khả năng mở rộng lên 16Gbps để đáp ứng nhu cầu xử lý dữ liệu đang tăng cao. So với HBM4 của Samsung, hiệu năng tăng hơn 20%, với băng thông bộ nhớ tối đa cho mỗi ngăn (single-stack) đạt 3,6 terabyte mỗi giây (TB/s), nhằm tối ưu hiệu năng tính toán cho các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM) và hệ thống AI thế hệ tiếp theo.
Về dung lượng lưu trữ, HBM4E 12 lớp của Samsung cung cấp 48 gigabyte (GB) cho mỗi ngăn, tương đương mức tăng dung lượng hơn 30% so với thế hệ trước. Samsung Electronics cho biết hãng dự định mở rộng dòng sản phẩm theo nhu cầu của khách hàng, bổ sung các phiên bản cấu hình 32GB (ngăn 8 lớp) và 64GB (ngăn 16 lớp).
Công nghệ sản xuất và tích hợp quy trình
Samsung Electronics cho biết lợi thế cốt lõi của HBM4E nằm ở việc tích hợp đầy đủ công nghệ bán dẫn full-chain của Samsung, tái sử dụng và tối ưu hóa các quy trình tiên tiến đã được kiểm chứng trong sản xuất hàng loạt HBM4. Sản phẩm sử dụng quy trình DRAM thuộc nhóm 10-nanometer thế hệ thứ sáu tiên tiến nhất trong ngành (quy trình 1c), kết hợp với tấm wafer nền logic 4-nanometer của Samsung Foundry, giúp HBM4E có độ ổn định quy trình và khả năng sản xuất tốt hơn.
Hiệu suất năng lượng và khả năng chịu nhiệt
Các tối ưu về thiết kế và quy trình trong kiến trúc lưu trữ và logic của HBM4E đã cải thiện hiệu năng, hiệu suất năng lượng và tỉ lệ đạt (yield). So với HBM4, HBM4E mang lại cải thiện hiệu suất năng lượng khoảng 16% và giảm hơn 14% về khả năng kháng nhiệt (thermal resistance). Samsung cho biết các cải tiến này giúp tản nhiệt hiệu quả hơn, nâng cao độ tin cậy vận hành của các trung tâm dữ liệu thế hệ tiếp theo tải cao, đồng thời giảm mức tiêu thụ năng lượng.
Lịch trình sản xuất và vị thế thị trường
Samsung cho biết hãng sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4E theo lịch trình của khách hàng sau khi hoàn tất việc giao mẫu và tối ưu hóa việc thích nghi/điều chỉnh của khách hàng. HBM4, được ra mắt vào tháng 2 năm nay, đã nhận được sự ghi nhận cao từ các khách hàng toàn cầu, với hiệu năng và hiệu suất năng lượng đặc biệt được đánh giá tốt.
Hiệu quả tài chính
Vào ngày 30/4, Samsung Electronics công bố kết quả Q1, trong đó lợi nhuận hoạt động đã được xác minh cuối cùng tính theo cơ sở báo cáo tài chính hợp nhất tăng 756,1% so với cùng kỳ năm trước lên 57,2328 nghìn tỷ won Hàn Quốc (xấp xỉ 263,9 tỷ RMB), đánh dấu quý thứ hai liên tiếp với kết quả cao kỷ lục trong từng quý. Bộ phận Giải pháp Thiết bị (Device Solutions - DS), đơn vị chịu trách nhiệm mảng bán dẫn, đã thúc đẩy tăng trưởng hiệu quả hoạt động toàn công ty, đạt doanh thu Q1 81,7 nghìn tỷ won và lợi nhuận hoạt động 53,7 nghìn tỷ won—cả hai đều là mức cao kỷ lục trong từng quý về lịch sử.
Câu hỏi thường gặp
Dung lượng của HBM4E 12 lớp của Samsung là bao nhiêu?
HBM4E 12 lớp của Samsung cung cấp 48GB cho mỗi ngăn, tương đương mức tăng dung lượng hơn 30% so với thế hệ trước. Samsung dự kiến bổ sung các cấu hình 32GB (8 lớp) và 64GB (16 lớp) dựa trên nhu cầu của khách hàng.
HBM4E nhanh hơn HBM4 bao nhiêu?
HBM4E mang lại cải thiện hiệu năng hơn 20% so với HBM4, với tốc độ chân ổn định 14Gbps có thể mở rộng lên 16Gbps, và băng thông bộ nhớ tối đa cho mỗi ngăn đạt 3,6TB/s.
Samsung sử dụng quy trình sản xuất nào cho HBM4E?
HBM4E sử dụng quy trình DRAM nhóm 10-nanometer thế hệ thứ sáu của Samsung (quy trình 1c) kết hợp với tấm wafer nền logic 4-nanometer của Samsung Foundry.
