根據 BlockBeats 報導,聯想今日在 ISC 2026 上警告,DRAM 與 NAND 快閃記憶體價格已進入結構性上升週期,且將在 2030 年及之後持續維持顯著高檔,即便三星、SK 海力士與美光等主要製造商持續擴產。聯想分析指出,增產仍無法彌補供需缺口,美光已表示無法滿足策略客戶的需求。
價格上漲預計將向下游傳導至個人電腦、遊戲主機與智慧型手機等消費性電子產品。聯想警告,隨著記憶體成本上揚轉嫁至終端產品,消費者未來十年將面臨持續的設備價格上漲。
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