在 5 月 29 日，三星電子宣布已開始向全球主要客戶出貨業界首款 12 層疊加式 HBM4E 的工程樣品，進一步鞏固其在下一代高頻寬記憶體（HBM）市場的領先地位。此舉因應不斷升高的 AI 運算需求；三星表示，12 層 HBM4E 在能效與散熱表現上帶來雙重提升，以滿足下一代 AI 高負載運算的要求。三星的客戶群包含 NVIDIA 與 AMD 等 AI 晶片製造商，以及 Google 與 Microsoft 等雲端服務提供商——這些都是支援 AI 運算需求的核心企業。
產品規格與效能指標
三星 HBM4E 作為公司第四代強化型高頻寬記憶體（enhanced high-bandwidth memory），可達每秒 14 吉比特（Gbps）的穩定針腳速率，並可擴展至 16Gbps，以因應日益激增的資料處理需求。相較於三星 HBM4，效能提升逾 20%；單一堆疊的最高記憶體頻寬達 3.6 太位元組每秒（TB/s），以最大化大型語言模型（LLM）與下一代 AI 系統的運算效能。
在儲存容量方面，三星的 12 層 HBM4E 每個堆疊提供 48 吉位元組（GB），較上一代容量增加超過 30%。三星電子表示，將依照客戶需求擴充產品線，新增 32GB（8 層堆疊）與 64GB（16 層堆疊）配置版本。
製造技術與製程整合
三星電子指出，HBM4E 的核心優勢在於完整整合三星全鏈半導體技術，重複使用並最佳化在 HBM4 大規模量產中已驗證的尖端製程。該產品採用業界最先進的第六代 10 奈米等級 DRAM 製程（1c 製程），並搭配三星 Foundry 的 4 奈米邏輯底層晶圓，使 HBM4E 具備更高的製程穩定性與可製造性。
能源效率與散熱表現
HBM4E 的儲存與邏輯架構在設計與製程上進行最佳化，提升了效能、能效與良率。相較於 HBM4，HBM4E 的能效約提升 16%，而熱阻降低超過 14%。三星表示，這些改善有助於更有效率地散熱，提升高負載下一代資料中心的運作可靠性，同時降低能源消耗。
生產時程與市場定位
三星表示，HBM4E 將在完成樣品交付與客戶端適配最佳化後，依照客戶排程啟動量產。今年 2 月推出的 HBM4 已獲得全球客戶高度認可，特別是在效能與能效方面受到良好回饋。
財務表現
4 月 30 日，三星電子公布第 1 季（Q1）財報。最終經過驗證的營業利潤以合併財務報表口徑計算，年增 756.1% 至 57.2328 兆韓元（約 263.9 億人民幣），使其成為連續第二季創下單季新高的成果。負責半導體業務的 Device Solutions（DS）事業部帶動整體公司營收成長，實現 Q1 銷售額 81.7 兆韓元、營業利潤 53.7 兆韓元——兩者皆為歷史上單季最高。
常見問題（FAQ）
三星 12 層 HBM4E 的容量是多少？
三星的 12 層 HBM4E 每個堆疊提供 48GB，較上一代容量增加超過 30%。三星計劃依照客戶需求新增 32GB（8 層）與 64GB（16 層）配置。
HBM4E 比 HBM4 快多少？
HBM4E 相較於 HBM4 提供超過 20% 的效能提升，穩定針腳速率為 14Gbps，可擴展至 16Gbps，且單一堆疊的最高記憶體頻寬達 3.6TB/s。
三星用什麼製造製程來生產 HBM4E？
HBM4E 採用三星第六代 10 奈米等級 DRAM 製程（1c 製程），並搭配三星 Foundry 的 4 奈米邏輯底層晶圓。
