根據 SK hynix 的說法，該公司已向客戶供應其新一代 HBM4E 高頻寬記憶體的 12 層樣品。12 層產品可提供 48GB 的容量，以及每顆封裝引腳最高 16Gbps 的資料傳輸速率（Gbps），其能效比 HBM4 提升超過 20%。SK hynix 推出了其大規模重流焊成形的模製底部灌封（molded underfill）製程；該製程可提升結構穩定性，並在邁向量產的過程中將熱阻降低約 17%。
在 2025 年第二季度，SK hynix 於全球 HBM 出貨量中占有 62% 的份額。Nvidia 已為其 Vera Rubin 平台的 HBM4 認證三家記憶體供應商，預計初期系統出貨將在 2026 年下半年。
