$1,727.44
+$101.30(+6.22%)
*頁面數據最近更新時間：2026-05-22 01:33 (UTC+8)
至 2026-05-22 01:33，Roundhill Memory ETF (DRAM) 股票報價為 $1,727.44，總市值為 $867.85億，本益比為 0.00，股息率為 0.00%。 當日股票價格在 $1,631.50 至 $1,729.30 之間波動，當前價格較日內低點高 5.88%，較日內高點低 0.10%，成交量為 2,719.78萬。 過去 52 週，DRAM 股票價格區間為 $1,465.20 至 $1,729.30，當前價格距 52 週高點 -0.10%。
DRAM 關鍵數據
昨日收盤價$1,625.51
市值$867.85億
成交量2719.78萬
本益比0.00
股息收益率 (TTM)0.00%
淨利潤（會計年度）$0.00
營收（會計年度）$0.00
營收預測$0.00
流通股數5338.96萬
Beta 值（1 年）0
DRAM 簡介
DRAM 旨在為投資者提供全球半導體記憶體產業的目標性曝險。投資組合建構旨在強調在半導體記憶體產品及相關技術中具有重要市場和營收份額的市場領導公司。記憶體產品包括高帶寬記憶體、動態隨機存取記憶體（DRAM）、NAND閃存、利用NAND技術的固態硬碟、NOR閃存、硬碟以及專用或嵌入式記憶體解決方案。此焦點旨在提供被視為推動人工智慧應用的關鍵大盤股曝險。為了追求其積極投資策略，基金可能持有股票或衍生品，如掉期或遠期合約。投資組合權重基於經修正的市值方法，並對單一公司設有25%的上限，反映顧問對每家公司在記憶體產業中的市場和營收份額的評估。再平衡至少每季度進行一次。
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Roundhill Memory ETF (DRAM) FAQ
Roundhill Memory ETF (DRAM) 今天的股價是多少？
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Roundhill Memory ETF (DRAM) 當前報價 $1,727.44，24 小時變動 +6.22%。52 週交易區間為 $1,465.20–$1,729.30。
Roundhill Memory ETF (DRAM) 的 52 週最高價和最低價是多少？
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Roundhill Memory ETF (DRAM) 的本益比 (P/E) 是多少？說明了什麽？
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Roundhill Memory ETF (DRAM) 現在該買入還是賣出？
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如何購買 Roundhill Memory ETF (DRAM) 股票？
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Roundhill Memory ETF (DRAM) 今日新聞
2026-05-19 03:37Gate CFD 合約股票專區已上線 53 個交易對，支援 4 倍固定槓桿Gate News 消息，据 Gate 官方公告
Gate CFD 合約股票专區已上线 53 個 CFD 交易對，支援 4 倍固定槓桿。上線交易對包括 SHLD（GLOBAL X 國防科技 ETF）、DRAM（Roundhill 記憶體 ETF）、GME（遊戲驛站）、NBIX（神經分泌生物科學）、BAX（百特國際）、KMI（金德爾摩根）、CFG（公民金融集團）、Z（Zillow 集團）、DVN（德文能源）、ADP（自動數據處理）等。
各交易對最小下單數量均為 0.1。CFD 合約為傳統金融資產的差價合約衍生品，涵蓋金屬、外匯、指數、大宗商品和熱門美股。2026-05-18 06:25Gate 合約股票專區將於 5 月 18 日首發上線 DRAM、HIMS、SHLD、IWM、FLNC 永續合約，支援 1-20 倍槓桿交易Gate News 消息，据 2026 年 5 月 18 日 Gate 官方公告
Gate 合約股票专區将于 2026 年 5 月 18 日 14:30（UTC+8）首發上线 DRAM（ 伦希尔存储晶片 ETF）、HIMS（希姆斯健康）、SHLD（环球 X 國防科技 ETF）、IWM（贝莱德罗素 2000 ETF）、FLNC（弗伦斯能源）永續合約實盘交易，支持 USDT 结算，提供 1-20 倍做多和做空操作。
DRAM 為全球首只纯内存晶片主题 ETF，重仓美光、SK 海力士、三星電子等存储巨頭，聚焦 DRAM、NAND 閃存、HBM 高带宽内存。HIMS 是美國线上遠程医疗平台。SHLD 被動跟踪全球國防军工指数，重仓美國军工企業。IWM 跟踪罗素 2000 指数，覆盖美國 2000 家中小市值成長企業。FLNC 為全球储能系統龍頭，主营大型锂電池储能設备。2026-05-18 06:11輝達預計將於 2027 年超越蘋果，成為最大的 LPDDR 使用者，容量將達到 6.041B GB根據 Hana Securities 和 Citrini Research 的說法，輝達預計將在 2027 年成為低功耗 DRAM（LPDDR）最大的使用者，受益於 AI 伺服器需求的急升。輝達的 LPDDR 產能預估將從 2026 年的 60410億 GB 提高到 2027 年的 31440億 GB，超越 Apple 與三星電子，並占全球總供應量的 36%。分析師將這一轉變歸因於像輝達的 Vera Rubin 這類較新的 AI 系統，其消耗的記憶體量比傳統裝置顯著更多。2026-05-16 15:21散戶投資者在 5 月 11 日買入 55 股新的 AI 記憶體 ETF，並將投資組合的 7% 配置給 DRAM在 5 月 11 日，加拿大阿爾伯塔省萊斯布里奇（Lethbridge）一名 43 歲的零售店經理 Brian Emes 購買了 55 股 Roundhill Memory ETF（DRAM）的股票；該 ETF 只在 4 月初才剛推出。該持倉目前約佔他投資組合的 7%，因此這是一筆對人工智慧與記憶體晶片股票的集中押注。
Emes 是根據 Reddit 討論串與 YouTube 影片的內容作出購買決定。這些內容強調由 AI 推動的對記憶體晶片的需求，讓他把它視為一個他不能錯過的交易機會。2026-05-15 12:58AI 代理演進推動 DRAM 供不應求至 30-50%，2027 年下一波價格飆升恐仍在：國泰君安根據 Guru Club 的說法，5 月 15 日，國泰君安證券研究發現，由 AI 驅動的供應鏈通膨正在重塑半導體配置。傳統 DRAM 的供貨短缺已達 30-50%，隨著 AI 加速器爭奪 HBM 資源，價格也迅速飆升。與此同時，Amazon AWS 與 Google Cloud 打破了維持兩十年的降價趨勢以提高費用，顯示成本壓力正往下游轉嫁至消費者。
預期從聊天到行動的 AI Agent 演進，將引發下一輪通膨循環。2024-2025 年代幣消耗量暴增 300 倍，而每個 Agent 任務所需的後端運算量，較一般聊天高出數十倍。這將推動 HBM 需求呈指數級成長，但供應擴張受到來自晶圓消耗與良率限制的瓶頸影響，顯著的產能緩解預計要到 2027-2028 年才會出現。
