A medida que la demanda de IA explota, los dos principales gigantes de la fundición de obleas a nivel mundial, TSMC (2330.TW) y Samsung Electronics (005930.KS), están adoptando estrategias completamente diferentes. TSMC sigue acelerando la implementación del proceso de 1 nm y prevé iniciar la producción en serie de forma gradual de nodos más avanzados a partir de 2027; Samsung, en cambio, elige ir más despacio y concentrar los recursos en la optimización y el aumento del rendimiento del proceso de 2 nm. Las divergencias en las rutas tecnológicas de ambas compañías afectarán el panorama de suministro de chips de alto rendimiento y de IA en el futuro.
Se filtra el roadmap de TSMC: objetivo de entrar en la era “angstrom” en 2029
Según un informe de Zdnet Korea, en la reciente conferencia trimestral de resultados de la primera trimestre y en el Foro de Tecnología de Norteamérica que celebró TSMC, la empresa reveló formalmente el plan de desarrollo completo de su proceso de subnanometros. Según la planificación, TSMC fabricará en producción en 2027 el proceso A16, cruzando oficialmente a la nueva generación basada en “angstrom (Angstrom)” como unidad. A16 corresponde a 1.6 nm, lo que simboliza un hito clave de la industria de semiconductores al entrar en la era de menos de 1 nm.
A partir de entonces, TSMC planea producir en 2028 el A14, y en 2029 impulsar simultáneamente tanto A13 como A12 en dos nodos. Entre ellos, A13 es el proceso más recientemente revelado este mes; en comparación con A14, permite reducir 6% del área de los chips, y, mediante optimizaciones en conjunto entre diseño y proceso, usando la tecnología (DTCO) se mejora aún más la eficiencia energética y el rendimiento de cómputo.
El A12 se basa en la arquitectura de A14 e introduce la tecnología (BSPDN) de la red de transmisión de energía desde el reverso denominada “Super Power Rail”, diseñada específicamente para las necesidades de IA y de computación de alto rendimiento (HPC). BSPDN separa el procesamiento de señales y la transmisión de energía que antes se concentraban en la parte frontal del obleas, trasladando la red de energía a la parte posterior, liberando así más espacio para mejorar el rendimiento y la densidad de integración.
(Aprovechan “espías” de TSMC de 2 nm para dejarlo zanjado: ingeniero estima 10 años, Tokyo Electron multada con 150 millones de dólares taiwaneses)
Samsung cambia el enfoque a la defensa: 1 nm se retrasa dos años, todo para consolidar 2 nm
En comparación con el ataque decidido de TSMC, Samsung Electronics elige ajustar el ritmo. Samsung ya había liderado en 2022 la producción en serie del proceso de 3 nm con una arquitectura de compuerta de tipo envolvente (GAA), ganando ventaja en avances tecnológicos; sin embargo, en el “SAFE Forum” celebrado el año pasado, Samsung anunció que el cronograma de producción del proceso de 1.4 nm (SF1.4) se pospondría aproximadamente dos años: del 2027 originalmente previsto, se movería a 2029.
Esta medida refleja que el enfoque estratégico actual de Samsung ha pasado de “ir más rápido” a “buscar estabilidad”. Se informó en el sector que Samsung actualmente no ha presentado aún un blueprint claro de procesos posterior a 2 nm; la empresa está invirtiendo a tope en la optimización de la capacidad de producción de 2 nm y en la mejora de su rendimiento, para atraer a más clientes internos y externos y elevar la utilización de la capacidad.
A finales de mayo de este año, se prevé que Samsung, en el SAFE Forum que se realizará en Estados Unidos, explique nuevamente hacia el exterior su dirección más reciente de estrategia, con el proceso de 2 nm como eje central.
(¡TSMC y Samsung apoyan! El chip de IA de Tesla AI5 completa el diseño y el plan apunta a la producción en masa a mediados de 2027)
La demanda de chips de IA se calienta; la divergencia de los dos caminos de las líderes mueve el panorama de la industria
La divergencia estratégica entre TSMC y Samsung en procesos subnanométricos coincide con el auge total de la demanda de aplicaciones de IA, y su impacto ya supera con creces el nivel tecnológico. TSMC, gracias al ritmo de avance del proceso en el que mantiene el liderazgo, tiene la posibilidad de consolidar aún más su posición dominante en el mercado de fabricación por contrato de chips de IA de gama alta y de HPC; Samsung, por su parte, espera acumular gradualmente la confianza de los clientes mediante una capacidad de producción en serie estable de 2 nm, y prepararse para el próximo avance tecnológico.
Cuál de las dos rutas es mejor o peor, no hay conclusiones claras a corto plazo; después de todo, tanto la velocidad de avance de la tecnología de proceso como la estabilidad del rendimiento en producción en serie se convertirán en variables clave del mapa competitivo del mercado de fundición de obleas.
Este artículo “Afrontamiento entre TSMC ‘embiste hacia 1 nm’ y Samsung ‘consolida 2 nm’; las dos líderes de la fundición discrepan” apareció por primera vez en ABMedia, un medio de cadenas de noticias.
Aviso legal: La información de esta página puede proceder de terceros y no representa los puntos de vista ni las opiniones de Gate. El contenido que aparece en esta página es solo para fines informativos y no constituye ningún tipo de asesoramiento financiero, de inversión o legal. Gate no garantiza la exactitud ni la integridad de la información y no se hace responsable de ninguna pérdida derivada del uso de esta información. Las inversiones en activos virtuales conllevan riesgos elevados y están sujetas a una volatilidad significativa de los precios. Podrías perder todo el capital invertido. Asegúrate de entender completamente los riesgos asociados y toma decisiones prudentes de acuerdo con tu situación financiera y tu tolerancia al riesgo. Para obtener más información, consulta el
Aviso legal.
